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        微電子所在超高速ADC/DAC芯片研制方面取得突破性

        作者: 時間:2012-10-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        近日,中科院研究所微波器件與集成電路研究室(四室)電路課題組在/芯片研制上取得突破性進(jìn)展,成功研制出8GS/s 4bit 和10GS/s 8bit 芯片。

          芯片采用帶插值平均的Flash結(jié)構(gòu),集成約1250只晶體管。測試結(jié)果表明,芯片可以在8GHz時鐘頻率下穩(wěn)定工作,最高采樣頻率可達(dá)9GHz。芯片采用基于R-2R的電流開關(guān)結(jié)構(gòu),同時集成了10Gbps自測試碼流發(fā)生電路,共包含1045只晶體管。測試結(jié)果表明,該芯片可以在10GHz時鐘頻率下正常工作。

          超高速ADC/DAC芯片在光通訊及無線寬帶通信領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。這兩款芯片的研制成功,大大提升了國內(nèi)單片高速ADC和DAC電路的最高采樣頻率,也為今后研制更高性能ADC/DAC電路打下了堅實的基礎(chǔ)。

          

        圖1:高速ADC芯片評估板以及芯片照片

          圖1:高速ADC芯片評估板以及芯片照片

          

        圖1:高速ADC芯片評估板以及芯片照片

          圖2:8GS/s采樣率下時鐘輸出以及D0、D1、D2數(shù)據(jù)信號眼圖實測結(jié)果

          

        圖1:高速ADC芯片評估板以及芯片照片

          圖3:高速DAC芯片評估板以及芯片照片

          

        圖1:高速ADC芯片評估板以及芯片照片

          圖4:微分非線性誤差(DNL)、積分非線性誤差(INL)測試結(jié)果



        關(guān)鍵詞: 微電子 超高速 ADC DAC

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