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        運(yùn)算放大器必知必會(huì):基本特性與設(shè)計(jì)因素須知

        作者: 時(shí)間:2012-11-01 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
        其高輸入阻抗、低偏置電流、低耗電和結(jié)構(gòu)緊湊等優(yōu)勢(shì)雙極型器件難以企及。CMOS產(chǎn)品出現(xiàn)以來(lái),改善其噪聲、穩(wěn)定性和速度的努力從來(lái)沒(méi)有中斷過(guò)。除了少數(shù)特別的應(yīng)用場(chǎng)合,CMOS運(yùn)放已取代了雙極型運(yùn)放成為主力。例如SGM8551系列高精度運(yùn)放可保證小于20μV的失調(diào)電壓和小于20nV/°的溫漂,各方面都超過(guò)了傳統(tǒng)的高精度運(yùn)放,例如OP07,以及同類(lèi)的LMV2011。SGM8551已成功用于6位半精度的過(guò)程校驗(yàn)儀表。

          高精度的對(duì)應(yīng)用工程意義明了、毋庸贅敘,其設(shè)計(jì)工程的挑戰(zhàn)則比較特別;高精度運(yùn)放設(shè)計(jì)是專(zhuān)利集中的領(lǐng)域,很多電路方案和布線方案受到保護(hù);新設(shè)計(jì)要在保護(hù)和利用的原則下創(chuàng)新。圣邦的高精度運(yùn)放產(chǎn)品設(shè)計(jì)是業(yè)內(nèi)最新數(shù)據(jù)模型和部分創(chuàng)新的結(jié)合。

          與在高精度測(cè)量放大系統(tǒng)中方案靈活多變不同,例如相關(guān)雙采樣方案、斬波調(diào)制放大方案和斬波跟蹤方案等等,高精度的實(shí)現(xiàn)方案局限于精密跟蹤補(bǔ)償和交替自穩(wěn)零兩類(lèi)基礎(chǔ)方案。

          參考圖5,交替自穩(wěn)零方案的原理與斬波跟蹤放大器類(lèi)似。信號(hào)通道上的第一級(jí)被分為兩個(gè)幾何分布完全一致的兩組;除了切換瞬間,總有一組在通過(guò)信號(hào),保證了信號(hào)是被近似連續(xù)傳送和放大的;自穩(wěn)零校準(zhǔn)則是交替進(jìn)行的。不在傳遞信號(hào)的一組的失調(diào)被饋入調(diào)零通道,調(diào)節(jié)偏置使失調(diào)為零。

          

        (電子工程專(zhuān)輯)

          圖5: 交替自穩(wěn)零的原理示意圖。

        高電壓

          在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)或者類(lèi)似惡劣條件的場(chǎng)合,采用可直接工作在較高電壓的運(yùn)放有利于提高可用率和執(zhí)行力。只是提高工作電壓對(duì)設(shè)計(jì)容限的改進(jìn)是有限的;事實(shí)上大多數(shù)早期的雙極型運(yùn)放可工作在較高電壓下,但不能在低電壓下工作。現(xiàn)代意義下的高壓運(yùn)放需要高適應(yīng)性,包括大動(dòng)態(tài)工作電壓范圍,滿幅輸入/輸出,抗高共模/差模和具備短期過(guò)壓寬限。以SGM8291為例,其工作電壓范圍是4.5V~36V,共模和差模均輸入允許到電源電壓,電源短期過(guò)壓可超過(guò)40V。

          現(xiàn)代意義下的高壓運(yùn)放是一個(gè)較新的運(yùn)放品種,例如TI也只是在近期開(kāi)始推廣其OPA171系列的高壓運(yùn)放。這些高壓運(yùn)放全部具有大動(dòng)態(tài)、低電流的特點(diǎn),以JFET或CMOS作為輸入,普遍采用BCD混合結(jié)構(gòu);其特性優(yōu)勢(shì)是雙極型高壓運(yùn)放無(wú)法抗類(lèi)比的。高壓運(yùn)放的結(jié)構(gòu)與低壓運(yùn)放的結(jié)構(gòu)不同,如輸入節(jié)要在大得多的共模電壓范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的失調(diào)電壓,輸出節(jié)要承受大的柵-漏(或基-集)電壓。SGM8291在全電壓范圍內(nèi)失調(diào)不超過(guò)0.9mV并允許輸出長(zhǎng)期短路。

          圖6用來(lái)解釋如何實(shí)現(xiàn)這些特性所需要的結(jié)構(gòu)差異的一個(gè)示意方案(此示意圖并不暗示圣邦使用了這一結(jié)構(gòu))。其中CC1~CC3恒流源需要利用雙極型的本征恒流特性穩(wěn)定輸入差分對(duì)的偏置;A采用CMOS取得高增益;T1、T2采用DMOS實(shí)現(xiàn)高耐壓。低壓運(yùn)放不需要這些組合。

          

        (電子工程專(zhuān)輯)

          圖6: 解釋高壓運(yùn)放結(jié)構(gòu)差異的示意圖。



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