13、D類功放中MOSFET選擇的其他考慮

　　*選擇合適的封裝和結(jié)構(gòu)

　　*功放的THD、EMI和效率，還受FET的體二極管影響?？s短體二極管恢復(fù)時間（工R的并聯(lián)肖特基二級管的FET）;降低反向恢復(fù)電流和電荷，能改善THD;EMI和效率。

　　*FET結(jié)殼熱阻要盡可能小，以保證結(jié)溫低于限制。

　　*保證較好可靠性和低的成本條件下，工作在最大結(jié)溫。用絕緣包封的器件是直接安裝還是用裸底板結(jié)構(gòu)墊絕緣材料，依賴于它的成本和尺寸。

　　14、D類功放參考設(shè)計見圖6所示

　　*拓撲：半橋

　　*選用IR2011S（柵極驅(qū)動IC，最高工作電壓200V，Io+/-為1.0A/1.0A，Vout為10-20V，ton/off為8060ns，延時匹配時間為20ns）;IRFB23N15D （MOSFET功率管ID=23A，R DS=90mΩ，Qg=37nC Bv=150V To-220封裝）

　　*開關(guān)頻率：400KHz（可調(diào)）

　　*額定輸出：200W+200W/4歐

　　*THD:0.03%-1mhz半功率

　　*頻率響應(yīng)：5Hz-40KHz（-3dB）

　　*電源：～220v±50V

　　*尺寸：4.0“×5.5”

　　15、結(jié)論

　　如果我們在選擇器件時很謹慎，并且考慮到精細的設(shè)計布線，因為雜散參數(shù)有很大的影響，那么目前高效D類功放可以提供和傳統(tǒng)的AB類功放類似的性能。