低功耗6管SRAM單元設(shè)計方案
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表1中可以看出，在傳統(tǒng)的6T-sRAM讀/寫過程中，對稱結(jié)構(gòu)的兩個位線電壓的變化是一致的，因而功耗是相同的。新型6T-SRAM單元功耗比傳統(tǒng)單元低了很多，這是因為在讀/寫操作的時候，參與工作的管子數(shù)量少，并且只有一個位線參與工作，并且在寫0的時候，由于位線是0，所以功耗很低。
2.4 讀/寫仿真
為了進一步驗證新型6T-SRAM讀/寫功能的正確性，以及與傳統(tǒng)6T-SRAM單元的比較，采用HSpice對兩種管子進行了讀/寫仿真。如圖4-圖7所示。
新型6T-SRAM存儲單元的讀/寫仿真表明，單個存儲單元的讀/寫時間在0.2 ns內(nèi)，符合存儲器在高速狀態(tài)下運行的需要。
3 結(jié)語
該SRAM單元是在0.18μm工藝下仿真的，新型SRAM采用漏電流保持技術(shù)，從而不需要刷新來維持數(shù)據(jù)，并且仿真顯示功耗比較傳統(tǒng)SRAM低了很多，讀/寫速度方面比傳統(tǒng)SRAM慢了一點，但是這是在可以接受的范圍內(nèi)。
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