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	 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 低壓驅(qū)動的RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與模擬
        
    
        

        

        


	
	
	

        
	
        
		
        
			
        低壓驅(qū)動的RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與模擬
        
						
        
				作者：
				時(shí)間：2013-11-18
				來源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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			/25px 宋體, arial; WHITE-SPACE: normal; ORPHANS: 2; LETTER-SPACING: normal; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">　　合理選擇生長介質(zhì)膜的工藝對開關(guān)性能有很大影響，本文的RF MEMS開關(guān)需要在基底表面生長一層氮化硅膜，一般選擇LP-CVD工藝，而介質(zhì)膜則選擇PECVD工藝為宜，金屬膜的性能要求相對較低，用濺射方法即可?？紤]到基底要求漏電流與損耗盡可能小，選取高阻硅與二氧化硅做基底，后者保證了絕緣要求。金質(zhì)信號線與下極板通過正膠剝離形成，電子束蒸發(fā)得到鋁質(zhì)上極板。但從可行性考慮，部分方案的工藝實(shí)現(xiàn)對于國內(nèi)的加工工藝尚有難度，只能犧牲微系統(tǒng)的性能來達(dá)到加工條件。
        　　4 結(jié)語
        　　本文主要從結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了創(chuàng)新，通過計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)仿真分析得到了理論解，一定程度上滿足了設(shè)計(jì)初衷，但在工藝上還不成熟。更低的驅(qū)動電壓和更高的開關(guān)頻率仍是亟待解決的問題，另外如何保證實(shí)際產(chǎn)品的可靠性、實(shí)用性也是未來的研究重點(diǎn)。
                 
				
            
                
			
							
        
                
			            
        
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