4采用并行及流水技術(shù)后速率的估算根據(jù)上述實(shí)現(xiàn)方案以及三星閃存芯片的時序和各項(xiàng)性能指標(biāo)參數(shù)，可以對采用四片并行和８級流水技術(shù)后的寫速率做一個理論上的大致估算，整個流水操作完成所需的時間應(yīng)以最后一級流水完成的時間為準(zhǔn)。估算方法如下：令ＦＬＡＳＨ芯片中一頁的數(shù)據(jù)量為ａ 并行操作的芯片數(shù)為ｂ 流水的總級數(shù)為ｃ，命令、地址和數(shù)據(jù)的加載時間為ｄ 芯片自動編程時間為ｅ，檢測時間為ｆ，需重新編程的級數(shù)為ｇ，正常寫速率為Ｓ１，重新寫入時的寫速率為Ｓ２，則：

Ｓ１＝（a×b×c）/（d×c e f）

Ｓ２＝（a×b×c）/[(d×c e f) (d e f)×g]

采用并行和流水技術(shù)前后的寫速率比較如表１所示?？梢钥闯觯捎迷摲桨负蟮乃俾瘦^采用前有了大幅度的提高。即使考慮到硬軟件的延遲及其它一些因素，這個速率的提升仍然是可觀的，說明這個設(shè)計(jì)方案是可行的。

表1 采用并行和流水技術(shù)前后的寫速率比較

（寫入）正常情況

重新寫入

編程典型時間200μs

編程最大時間500μs

編程典型時間200μs

編程最大時間500μs

采用前

18.11Mbps

7.78Mbps

9.05Mbps

3.89Mbps

采用后

320.80Mbps

184.98Mbps

206.48Mbps

106.15Mbps

隨著空間技術(shù)的不斷進(jìn)步，要求空間飛行器上的大容量存儲器件朝著更大容量、更高速度、更低功耗、更小的重量和體積、更合理有效的存儲區(qū)管理以及更高可靠性的方向發(fā)展。從商業(yè)領(lǐng)域發(fā)展而來的閃存，存儲密度大、功耗小、可靠性高、體積小、重量輕且成本也在不斷降低。對于其寫入速度慢及存在無效塊等主要缺點(diǎn)，可以通過其自身工藝技術(shù)的不斷發(fā)展及融合其它領(lǐng)域的思想和技術(shù)，如本文所述的并行技術(shù)、流水線技術(shù)等得到解決，因而有著良好的應(yīng)用前景。