MOSFET的驅(qū)動技術(shù)及應(yīng)用
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其實上管Q1驅(qū)動的供電在于 Cboot。
看下圖，芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
Cboot是掛在boot和LX之間的，而LX卻是下管的D級，當(dāng)下管導(dǎo)通的時候，LX接地，芯片的內(nèi)部基準(zhǔn)通過Dboot(自舉二極管)對Cboot 充電。當(dāng)下管關(guān)，上管通的時候，LX點的電壓上升，Cboot上的電壓自然就被舉了起來。這樣驅(qū)動電壓才能高過輸入電壓。
當(dāng)然芯片內(nèi)部的邏輯信號在提供給驅(qū)動的時候，還需要Level shift電路，把信號的電平電壓也提上去。
Buck電路，現(xiàn)在有太多的控制芯片集成了自舉驅(qū)動，讓整個設(shè)計變得很簡單。但是對于，雙管的，橋式的拓?fù)?，多?shù)芯片沒有集成驅(qū)動。那樣就可以外加自舉驅(qū)動芯片，48V系統(tǒng)輸入的，可以采用Intersil公司的ISL21XX，HIP21XX系列。如果是AC/DC中，電壓比較高的，可以采用IR的 IR21XX系列。
下圖是ISL21XX的內(nèi)部框圖。
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