如果開(kāi)關(guān)頻率太高，這部分功率損耗會(huì)大幅度增加而導(dǎo)致電源顯著變熱：

　　而有源鉗位反激拓?fù)淇梢越鉀Q這個(gè)問(wèn)題，在有源鉗位反激拓?fù)渲校儔浩髀└械哪芰坎⒉槐缓纳⒌?，而是?huì)先被儲(chǔ)存在鉗位電容里然后再被傳遞到輸出端。

　　有源鉗位反激拓?fù)鋬?yōu)點(diǎn)不僅限于此：

　　通過(guò)智能化的控制有源鉗位電路，主邊的FET可以實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)啟(ZVS)，從而消除這個(gè)主要的開(kāi)關(guān)電源損耗來(lái)源，效率得到進(jìn)一步提高，ZVS的實(shí)現(xiàn)使我們可以使用更高的開(kāi)關(guān)頻率從而減小充電器的大小。

　　如果我們用氮化鎵(GAN)取代基于硅的FET，實(shí)現(xiàn)ZVS所需要的能量會(huì)大大降低

　　這樣我們就可以使用更高的開(kāi)關(guān)頻率，充電器的大小將縮小至一半　

　　使用GaN的30W充電器(中)體積要比傳統(tǒng)24W充電器(右)小得多。

　　但是可靠的控制有源鉗位反激拓?fù)洳⒉缓?jiǎn)單，在過(guò)去市面上并沒(méi)有快速且智能的控制芯片產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這個(gè)拓?fù)洹?/p>

　　不過(guò)UCC28780控制芯片將改變這一局面

　　通過(guò)集成多種先進(jìn)的功能比如自適應(yīng)、自調(diào)節(jié)的ZVS和脈沖模式，UCC28780化繁為簡(jiǎn)，使有源鉗位反激拓?fù)湓诔潆娖髦械膽?yīng)用成為現(xiàn)實(shí)。

　　UCC28780既可以控制基于硅的也可以用于控制基于氮化鎵的主邊FET?！?/p>

　　為了達(dá)到嚴(yán)格的效率標(biāo)準(zhǔn)比如DoE level VI和CoC Tier 2，還有一款UCC28780配套使用的同步整流管控制器UCC24612，使用這一款同步整流控制器，副邊可以使用效率更高的同步整流管來(lái)取代二極管。