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        基于IGBT模塊的電能質(zhì)量治理設備能耗狀況及節(jié)能分析

        作者:徐杰彥 劉旸 彭愛軍 陳征 冒詠秋 賈容達 趙才溢 楊曦 時間:2017-05-26 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
        編者按:本文重點研究了基于IGBT模塊的電能質(zhì)量類治理設備的能耗狀況及節(jié)能路徑。首先,對典型拓撲結(jié)構(gòu)的SVG、APF、MEC在額定輸出工況下的損耗特性進行了分析,確定了主要耗能部分;隨后,分析了 IGBT模塊能耗機理及降耗可行性路徑;最后,總結(jié)出現(xiàn)階段國內(nèi)基于IGBT模塊的電能質(zhì)量類治理設備降低自身工作能耗的重點改進方向。

        2.2 應用層面實現(xiàn)模塊降損路徑

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/201705/359749.htm

          由公式(1)~(8)可知,器件在工作過程中,模塊損耗主要包括3種狀態(tài),即通態(tài)損耗、開通損耗和開斷損耗,分別對應導通、開通、開斷工作狀態(tài),其總損耗為三者之和。實際上,除此之外還存在斷態(tài)損耗(漏電流引起,對應斷開狀態(tài)),但其值很小,一般予以忽略[13,16]。并且,通態(tài)穩(wěn)定時,通態(tài)損耗也基本維持在恒定水平,因此,重點研究和考慮的是開通損耗和關(guān)斷損耗的變化影響[13]

          影響開通損耗和關(guān)斷損耗的原因很多,除與IGBT芯片自身外,還受到包括驅(qū)動電路的電壓上升時間、負載電流、負載電壓及控制開關(guān)的頻率等因素影響[11,14]。

          根據(jù)以上分析,在實際使用過程中,IGBT模塊從幾個方面實現(xiàn)降損,如圖3所示。

          考慮到現(xiàn)階段我國IGBT的自主生產(chǎn)水平及使用現(xiàn)狀,本文重點探討除IGBT本體結(jié)構(gòu)以外的負載電壓、負載電流、開關(guān)頻率等工作狀態(tài)參數(shù)對其損耗的影響規(guī)律,以求通過優(yōu)化控制等手段,從使用層面降低其損耗。

          進一步,IGBT開通、關(guān)斷損耗可按如下公式計算[17]

          分析公式(9)、(10)可知,IGBT開通、關(guān)斷損耗與工作狀態(tài)下電壓、電流及開關(guān)頻率均呈正相關(guān)關(guān)系,這與文獻[8]、文獻[13]、文獻[14] 等研究結(jié)論相一致。

          因此,要降低IGBT工作損耗,在實際使用層面可通過降低其工作狀態(tài)下電壓、電流及開關(guān)頻率來實現(xiàn)。

          文獻[13]提出了一種基于三相平均電流大小和各相電流大小的滯環(huán)寬度調(diào)節(jié)方法,該方法解決了傳統(tǒng)滯環(huán)電流采用的固定滯環(huán)寬度調(diào)節(jié)方法存在的,在滯環(huán)寬度過小時,較大的負載電流變化率會導致較高開關(guān)頻率,從而增大了開關(guān)損耗的問題??蓪崿F(xiàn)在保持同樣的控制精度的情況下,有效降低有源電力濾波器的開關(guān)損耗。

          文獻[8]也指出通過優(yōu)化IGBT使用環(huán)境、性能參數(shù),以及最優(yōu)的電路拓撲,可以減少器件損耗的產(chǎn)生,加大變換裝置的能源利用效率。

          文獻[18]對軟開關(guān)技術(shù)在實現(xiàn)電力電子變換器開關(guān)損耗的方法進行了研究,提出了四種帶有能量有源回饋吸收的變換器橋臂單元,并從無源軟開關(guān)特性方面對四種拓撲進行對比分析,并對其主開關(guān)管的開關(guān)損耗、輔助二極管附加損耗、能量有源回饋電路損耗等進行了計算。

          因此,現(xiàn)階段我國電力電子設備生產(chǎn)企業(yè),在考慮提升IGBT模塊效率時,雖然受制于IGBT芯片本體無法改善的限制,但是還可以從優(yōu)化IGBT模塊電路拓撲結(jié)構(gòu)、優(yōu)化控制方法等角度出發(fā),提升裝置能效水平。

        3 類設備降損路徑

          根據(jù)上述分析,IGBT類治理設備的損耗主要由控制系統(tǒng)損耗、IGBT模塊損耗、濾波電感及電容損耗組成。針對不同損耗部分,從設計、加工工藝、材料選擇、控制系統(tǒng)優(yōu)化等角度出發(fā),均可降低其工作過程中的自身損耗,圖4給出了基于IGBT模塊的治理類設備降損路線圖。

        4 結(jié)論

          、和MEC均為主動補償,三者主電路圖組成基本一樣,其主要區(qū)別在于系統(tǒng)控制策略的差異;IGBT類電能質(zhì)量控制產(chǎn)品的主要損耗部分依次為IGBT模塊損耗、濾波電感及電容損耗、控制系統(tǒng)損耗,其中,前兩者損耗分別約占總損耗的50%和45%。

          IGBT模塊損耗主要包括通態(tài)損耗、開通損耗、開斷損耗、斷態(tài)損耗4種狀態(tài)。其中,斷態(tài)損耗值很小,一般予以忽略;而通態(tài)穩(wěn)定時,通態(tài)損耗也基本維持在恒定水平。因此,開通損耗和關(guān)斷損耗是影響IGBT模塊損耗的主要狀態(tài)。IGBT模塊的開通損耗和關(guān)斷損耗可通過優(yōu)化控制方法,改善設備工作狀況下的電壓上升時間、負載電流、負載電壓及控制開關(guān)的頻率,實現(xiàn)降低損耗。

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          本文來源于《電子產(chǎn)品世界》2017年第6期第33頁,歡迎您寫論文時引用,并注明出處。


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