莫大康分析說，存儲(chǔ)器相對(duì)3D最容易實(shí)現(xiàn)，因?yàn)槭前淹环N芯片堆疊24層、32層就能提高容量，因此存儲(chǔ)器將在3D方面打先鋒。未來NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)將迎來加高堆疊層數(shù)來實(shí)現(xiàn)大容量化的、徹底的技術(shù)轉(zhuǎn)型。

莫大康最后指出，3D的路其實(shí)不好走，技術(shù)方面難度大，尤其是異質(zhì)架構(gòu)。其實(shí)最理想的是異質(zhì)架構(gòu)把邏輯、存儲(chǔ)器、模擬、RF、MEMS都放在一起，這將實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體又一次大躍進(jìn)，但目前還達(dá)不到。