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        瑞薩科技發(fā)布硅鍺功率晶體管應(yīng)用于無線LAN終端等功率放大器

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        作者: 時間:2007-01-24 來源: 收藏
         Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅鍺HBT*1實現(xiàn)了業(yè)界最高水平性能,可用于諸如LAN終端、數(shù)字無繩電話和RF(射頻)標(biāo)簽讀/寫機(jī)等產(chǎn)品。樣品供貨將于從2007年3月在日本開始。

          作為目前HSG2002的后續(xù)產(chǎn)品,RQG2003是一種用于的晶體管,它可以對傳輸LAN終端設(shè)備等RF前端功率進(jìn)行放大。

          RQG2003的功能總結(jié)如下。

         ?。?)業(yè)界最高的性能水平,有助于實現(xiàn)低功耗產(chǎn)品

          在5GHz和2.4GHz頻段,RQG2003的性能達(dá)到了業(yè)界的最高水平,如下所述。

         ?。╝)5GHz頻段:6.4dB的功率增益,26.5dBm條件下的1dB增益壓縮功率,5.8GHz條件下的功率增加效率*2為33.6%

         ?。╞)2.4GHz頻段:13.0dB的功率增益,26.5dBm條件下1dB的增益壓縮功率,2.4GHz條件下的功率增加效率為66.0%

          這些性能參數(shù)是對目前的HSG2002的顯著改善,例如,5.8GHz條件下的功率增加效率大約提高了10%,2.4GHz的功率增加效率大約提高了20%。

          該性能有助于降低   
        IEEE802.11a*3 兼容的LAN設(shè)備、數(shù)字無繩電話等5GHz頻段設(shè)備的功耗,也可以降低使用2.4GHz頻段的IEEE802.11b/g*3 兼容的無線LAN設(shè)備、RF標(biāo)簽讀/寫機(jī)及其他2.4GHz頻段應(yīng)用的功耗。

          2)小而薄的無鉛封裝

          該器件采用小型表面貼裝8引腳WQFN0202(瑞薩封裝代碼)封裝,尺寸為2.0mm

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