DS2433設計轉變?yōu)镈S24B33 4Kb 1-Wire EEPROM
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影響：由于采用新一代半導體工藝，DS24B33可承受的最大值低于DS2433。由于大多數(shù)應用工作在5V ±5%或更低，這一變化應該不是問題。
措施：如果實際應用工作在6V ±5%，則降低上拉電壓。例如，將一個或兩個通用的硅二極管與上拉電阻串聯(lián)。二極管大約0.7V的導通壓降可降低1-Wire電壓，實現(xiàn)安全工作。
說明：該參數(shù)規(guī)定1-Wire上拉電阻的允許范圍。如果電阻過大，沒有足夠時間為1-Wire從器件的寄生電源重新充電；如果電阻值過小，可能不滿足最大VIL指標。
摘自DS2433數(shù)據(jù)資料
| SYMBOL | CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNITS | NOTES |
DS2433數(shù)據(jù)資料在電氣特性表中未明確給出RPUP，但給出了一些文字指導。DS2433數(shù)據(jù)資料圖8中的文字規(guī)定單點網絡的指標：“讀操作為5kΩ，VPUP≥ 4V時寫操作為2.2kΩ。根據(jù)1-Wire通信速率和總線負載特性，上拉電阻優(yōu)化在1.5kΩ至5kΩ范圍”。
摘自DS24B33數(shù)據(jù)資料
| SYMBOL | CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNITS | NOTES |
| 注2： | 系統(tǒng)要求。 |
| 注4： | 最大允許上拉電阻是系統(tǒng)中1-Wire器件數(shù)量、1-Wire恢復時間以及EEPROM編程所需電流的函數(shù)。此處給出的數(shù)值適用于只有一個器件、具有最小1-Wire恢復時間的系統(tǒng)。對于負載較重的系統(tǒng)，可能需要有源上拉，例如DS2482-x00或DS2480B。 |
影響：相對于DS2433數(shù)據(jù)資料，DS24B33數(shù)據(jù)資料給出了關于上拉電阻范圍的詳細信息。DS24B33的上限符合tREC測試條件。下限不會對5V ±5%環(huán)境下的DS24B33造成應力。然而，在最差工作條件下(即DS24B33的輸出晶體管阻抗= VOLMAX/4mA = 100Ω)，DS24B33拉低1-Wire總線時，所產生的VOL值為：100Ω/(100Ω + 300Ω) × VPUP。為滿足其它1-Wire從器件和主控器件的最大VIL要求，2.8V下最小、最安全的RPUP值為600Ω。
措施：檢查應用中的上拉電阻。如果上拉電阻高于2.2kΩ，則用較小的電阻代替它，或使用不同的1-Wire主控器件。更多建議請參見輸入電容部分。
技術改進
- EEPROM使用壽命
說明：該參數(shù)規(guī)定EEPROM單元在給定溫度下可承受的無差錯寫次數(shù)。通常情況下，使用壽命遠遠高于給出的最小值。
摘自DS2433數(shù)據(jù)資料SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS NOTES NCYCLE TA= +25°C
VPUP= 5.0V50k 7 注7： 執(zhí)行Copy Scratchpad命令期間，DS2433自動擦除要寫入的存儲器。總線主控器件無需采取其它步驟。
摘自DS24B33數(shù)據(jù)資料SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX <
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