從圖中可以看出，啟動EDAC自檢后，EDAC開始巡檢RAM存儲單元，產(chǎn)生錯誤中斷（標志） 信號，給出錯誤信息。當單片機需要處理中斷時，將Check信號置‘0’，可暫時停止巡檢， 此時單片機可對RAM存儲單元進行正常讀寫操作。等中斷處理完后，單片機將Check信號置 ‘1’，恢復RAM巡檢操作。

另外可通過Rw_En的置‘0’或‘1’，來控制禁止或允許進行自糾錯操作。

當出現(xiàn)可識別的多位錯誤時，產(chǎn)生Err和MErr兩個錯誤中斷（標志）信號，但由于漢明碼僅能糾正單比特錯誤，因此不進行自糾錯操作。

從原注入錯誤數(shù)據(jù)對應(yīng)的地址讀出數(shù)據(jù)，仿真輸出結(jié)果如圖4所示。

可以看出除最后一個地址（FFH）由于兩位錯仍輸出錯誤外，其他地址輸出數(shù)據(jù)均與地址相同，即為正確數(shù)據(jù)。

其中，24H、3CH、60H三個地址雖然輸出正確數(shù)據(jù)，但仍報錯，表明存儲器內(nèi)數(shù)據(jù)仍然 為錯誤數(shù)據(jù)，在輸出時進行了糾錯。這是由于在上次巡檢到這部分地址空間時，通過把Rw_En 信號拉低，從而禁止了自動糾錯，導致這三個地址錯誤數(shù)據(jù)未被糾正。而在對其他地址進行 數(shù)據(jù)讀取時，未產(chǎn)生錯誤標志，證明其他錯誤數(shù)據(jù)已被糾錯。

4 結(jié)論

本文在采用FPGA芯片實現(xiàn)基本EDAC讀寫功能的設(shè)計思路基礎(chǔ)上，創(chuàng)建了一種新型的可對 RAM存儲單元進行自檢的EDAC功能模塊。該模塊不但可以對RAM存儲單元進行快速巡檢，巡檢 時間僅為傳統(tǒng)EDAC方法的十二分之一，還可以自動糾正已發(fā)現(xiàn)的錯誤。該模塊最大的優(yōu)點在 于節(jié)省了單片機資源，幾乎不需要單片機的參與即可完成所有自檢功能，從而使基于FPGA 的星載計算機對SEU事件防護能力得到較大的提升。本文中該模塊采用Verilog硬件描述語言 編程，具有可移植性，這種設(shè)計方法可用于各種體系結(jié)構(gòu)的星載計算機中。

本文作者創(chuàng)新點: 通過引入FPGA技術(shù)，設(shè)計了一種靈活、高效的自檢EDAC電路，可在CPU 的控制下實現(xiàn)對錯誤信息的自動處理，并提出了該EDAC電路驗證方法。