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        利用數(shù)字電位計(jì)AD5292構(gòu)建30V低成本DAC

        作者: 時(shí)間:2010-11-01 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        為改善電路精度,可以用兩個(gè)外部電阻降低上的基準(zhǔn)電壓,如圖5所示,由此便可在有限的電壓范圍內(nèi)提供全部10位分辨率(游標(biāo))。數(shù)字電位計(jì)通常具有±20%的端到端電阻容差誤差,由于數(shù)字電位計(jì)與外部電阻之間存在匹配誤差,因此會(huì)影響電路精度。則具有業(yè)界領(lǐng)先的±1%電阻容差性能,有助于克服電阻匹配誤差問題。
        未標(biāo)題-1 拷貝.jpg

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/187750.htm


        圖5:通過降低基準(zhǔn)電壓來構(gòu)建游標(biāo),從而改善INL性能(原理示意圖,未顯示去耦和所有連接)
        這種情況下:

        未標(biāo)題-1 拷貝.jpg

        未標(biāo)題-1 拷貝.jpg

        縮小范圍內(nèi)的1 LSB可以通過下式計(jì)算:

        未標(biāo)題-1 拷貝.jpg

        相對(duì)于最高基準(zhǔn)電壓V1,游標(biāo)的等效分辨率為:

        未標(biāo)題-1 拷貝.jpg
        圖6顯示利用圖5的游標(biāo)DAC電路而獲得的INL(以 V1為基準(zhǔn))曲線。
        未標(biāo)題-1 拷貝.jpg


        圖6:游標(biāo)DAC的INL(以V1為基準(zhǔn))
        具有一個(gè)20次可編程存儲(chǔ)器,可以在上電時(shí)將輸出電壓預(yù)設(shè)為特定值。
        為了使本文所討論的電路達(dá)到理想的性能,必須采用出色的布局、接地和去耦技術(shù)(請(qǐng)參考教程 MT-031 和教程 MT-101)。至少應(yīng)采用四層PCB:一層為接地層,一層為電源層,另兩層為信號(hào)層。

        參數(shù)

        最小值

        最大值

        單位

        電源電壓

        30

        33

        V

        輸出電壓

        0

        30

        V

        輸出電流

        -

        ±20

        mA

        DNL

        -1

        +1

        LSB

        INL

        -2

        +2

        LSB

        建立時(shí)間

        0.2

        2

        μs


        1. 1中單極性DAC的典型特性


        常見變化
        AD5291 (8位、內(nèi)置20次可編程上電存儲(chǔ)器)和AD5293(10位、無上電存儲(chǔ)器)均為±1%容差數(shù)字電位計(jì),同樣適合本應(yīng)用。
        4.096 V低成本基準(zhǔn)電壓源ADR5044也不失為一種選擇。R1/R2比值可以根據(jù)不同的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。


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        關(guān)鍵詞: 5292 30V DAC AD

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