3. 有效濾除開(kāi)關(guān)電源電磁干擾，減小紋波輸出

開(kāi)關(guān)電源的突出缺點(diǎn)是產(chǎn)生較強(qiáng)的EMI。EMI信號(hào)既具有很寬的頻率范圍，又有一定的幅度，經(jīng)傳導(dǎo)和輻射會(huì)污染電磁環(huán)境，對(duì)通信設(shè)備和電子產(chǎn)品造成干擾。如果處理不當(dāng)，開(kāi)關(guān)電源本身就會(huì)變成一個(gè)干擾源。LDO有較高的電源抑制比，且LDO是低噪聲器件，因此應(yīng)用LDO可以有效地濾除開(kāi)關(guān)電源EMI，減小紋波輸出。

4．為開(kāi)關(guān)電源提供過(guò)流保護(hù)

盡管許多PWM控制芯片本身具有過(guò)流保護(hù)功能，但LDO的過(guò)流保護(hù)功能可以提升開(kāi)關(guān)電源的安全系數(shù)。

試驗(yàn)分析

圖3：開(kāi)關(guān)電源負(fù)載調(diào)整率測(cè)試電路

下面通過(guò)以下兩個(gè)實(shí)驗(yàn)來(lái)驗(yàn)證該方案的可行性：

1．測(cè)量負(fù)載調(diào)整率

實(shí)驗(yàn)電路如圖3所示。由電子負(fù)載依次拉出0mA到400mA的電流，在每個(gè)負(fù)載點(diǎn)記錄下開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓。測(cè)試數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)處理，可以得出圖4所示的圖表。該圖充分說(shuō)明，LDO優(yōu)秀的負(fù)載調(diào)整率已經(jīng)被完全移植到開(kāi)關(guān)電源上。換言之，LDO極大地提高了開(kāi)關(guān)電源的負(fù)載調(diào)整率。

2．輸出紋波的測(cè)量

分別在開(kāi)關(guān)電源的LDO輸入端和輸出端接上示波器，可以得出圖5所示的波形。其中Ch¹是LDO入口處的輸出波形，而Ch²是LDO出口處的輸出波形，即開(kāi)關(guān)電源的最終輸出波形。

由上圖可以看出，LDO有效地濾除了開(kāi)關(guān)電源EMI信號(hào)，相對(duì)于搭建常規(guī)EMI過(guò)濾器來(lái)講，應(yīng)用LDO更簡(jiǎn)單可靠。