如何減少電源損耗實現(xiàn)電源效率最大化
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圖 1 調(diào)節(jié) MOSFET 裸片面積來最小化滿負載功率損耗圖 2 是圍繞圖 1 最佳點的三種可能設計效率圖。圖中分別顯示了三種設計的正常裸片面積。輕負載情況下，較大面積裸片的效率會受不斷增加的驅(qū)動損耗影響，而在重負載條件下小尺寸器件因高傳導損耗而變得不堪重負。這些曲線代表裸片面積和成本的三比一變化，注意這一點非常重要。正常芯片面積設計的效率只比滿功率大面積設計的效率稍低一點，而在輕載條件下(設計常常運行在這種負載條件下)則更高。
本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/180560.htm
圖 2 效率峰值出現(xiàn)在滿額定電流之前
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