1、計算次級峰值電流Ipks：

　　Io=(Td/T)*Ipsk/2

　　Ipks=Io*2/(Td/T)=0.3*2/0.5=1.2A

　　2、計算反射電壓Vor：根據(jù)伏秒平衡

　　Vin*Ton=Vor*Td

　　Vin*Ton/T=Vor*Td/T

　　Vin*D=Vor*Td/T

　　90*0.45=Vor*0.5

　　Vor=81V

　　3、計算匝比N

　　Vor=(Vo+Vf)*N

　　N=81/(25.8+0.9)=3.03

　　4、計算初級峰值電流(考慮到初級電流一部分在轉(zhuǎn)換時的損耗，如吸收中的一部分損耗，磁芯損耗，輸出電容損耗，次級銅損)初級電流損耗取輸出電流的7%

　　Ipk=Ipks*(1+7%)/N=1.2*(1+7%)/3.03=0.424

　　5、計算初級電感量

　　Vin/L=ΔI/Δt DCM模式時ΔI等于Ipk

　　vin/L=Ipk/(D/f)

　　L=vin*D/f/Ipk=90*0.45/50K/0.424=1.91mH

　　6、計算初級圈數(shù)Np,Ns(B取0.3mT)

　　NP=L*I/(AE*B)=1.91*0.424/(19.3*0.3)*10^3=140TS

　　NS=NP/N=140/3=46.6TS 取47TS時反算47*3.03=142TS

　　NA=NS*VA/(Vo+VF)=47*22/(25.8+0.9)=39TS

　　7、電壓取樣電阻

　　當(dāng)供電繞組電壓取22V時，F(xiàn)B基準(zhǔn)為2V ，上下取樣電阻正好為10比1，取6.8K和68K

　　8、電流檢測電阻Rcs

　　Rcs=Vth_oc/Ipk=0.91/0.424=2.15 用2.7并11歐電阻

　　9、二極管反壓

　　=Vin_max/N+Vo=264*1.41/3.03+25.8=149V 取耐壓200V的SF14

　　10、MOS耐壓及 漏感尖峰取 Vlk75V

　　=Vin_max+Vor+Vlk=373+81+75=529V 考慮到功耗選用2N60