圖2 ADS L inecalc模塊。

　　將上述的結(jié)構(gòu)尺寸輸入ADS中并設(shè)置微帶電路板的參數(shù)和S參數(shù)的頻率掃描范圍進(jìn)行原理圖仿真。

　　以下圖3是理論計算值的仿真原理圖， 圖4是仿真結(jié)果。

圖3 微帶線帶通濾波器設(shè)計原理圖。

圖4 傳輸、反射系數(shù)仿真曲線圖。

　　經(jīng)過分析仿真結(jié)果出現(xiàn)了中心頻率點(diǎn)偏移的， 并且通帶內(nèi)的反射系數(shù)較大， 在2. 4 GH z上衰減沒有達(dá)到要求， 因此需要對其進(jìn)行優(yōu)化。優(yōu)化時要注意: 耦合線的W， S， L 不要設(shè)為具體的值， 而是要有各個變量來代替， 因?yàn)檫@些參數(shù)就是優(yōu)化的目標(biāo)。變量的設(shè)置要需要借助變量控件VAR來完成， 在VAR中要設(shè)置合理的數(shù)據(jù)范圍。優(yōu)化還需要Optim 控件和目標(biāo)控件Goa，l 將Opt im 控件中的M axlters的值該為100， 增加優(yōu)化次數(shù)。根據(jù)我們的設(shè)計要求設(shè)置四個Goal控件。依次分別為: 優(yōu)化通帶內(nèi)的S ( 2， 1)、優(yōu)化通帶內(nèi)的S ( 1， 1) (優(yōu)化通帶內(nèi)的反射系數(shù))、優(yōu)化低端阻帶內(nèi)的S ( 2， 1) (設(shè)定2. 4 GH z以下達(dá)到40 dB衰減)和優(yōu)化高端阻帶內(nèi)的S ( 2， 1) (設(shè)定2. 8 GH z以上衰減達(dá)到40 dB)。如果一次優(yōu)化不能滿足設(shè)計指標(biāo)的要求， 則需要再改變變量的取值范圍， 進(jìn)行重新優(yōu)化， 直到滿足要求為止。

　　圖5為優(yōu)化原理圖， 圖6是優(yōu)化后生成的仿真結(jié)果。由圖6 中可以看到f = 2. 6 GHz時， S ( 2， 1) =- 0. 113 dB， f= 2. 8 GH z和f = 2. 4 GH z時衰減都大于40 dB， 反射系數(shù)也比較理想， 各項基本滿足設(shè)計要求。