次級(jí)mosfet都是零電壓開通關(guān)斷，不存在開關(guān)損耗

　　次級(jí)mosfet的導(dǎo)通損耗同樣限制了反激在大功率場(chǎng)合的運(yùn)用，mosfet體內(nèi)二極管的反向恢復(fù)同樣產(chǎn)生損耗，值得注意的是這個(gè)損耗源于次級(jí)，發(fā)生在初級(jí)mosfet，計(jì)算公式如下

　　考慮到半橋的占空比D可以是0.9，所以以上三個(gè)公式基本上沒有區(qū)別。

　　3、磁性器件。反激的變壓器等效理想變壓器和電感器的結(jié)合，不知道該如何正激和半橋的磁性器件比較，這里只討論下為什么反激變壓器中漏感的影響大。具體分析見EXEL中《磁性器件》頁面

　　4、電容。同樣關(guān)心電容的電流應(yīng)力和電壓。電壓應(yīng)力沒什么區(qū)別。

　　輸入電容電流應(yīng)力基本沒有區(qū)別，輸出電容上反激的電流應(yīng)力很糟糕，但需要注意的是，輸出電容的電流應(yīng)力與輸出電流成正比，與輸出功率并沒有直接關(guān)系，正激和半橋的輸出電容電流應(yīng)力為0是因?yàn)殡姼屑僭O(shè)為無窮大，實(shí)際值與△I有關(guān)。

　　5、總結(jié)：通過以上分析，反激不適合大功率引用原因如下：

　　初級(jí)mosfet開關(guān)損耗

　　次級(jí)mosfet導(dǎo)通損耗

　　變壓器漏感導(dǎo)致的損耗

　　輸出電容電流應(yīng)力

　　上面的計(jì)算基于輸入電壓恒定為60V，但實(shí)際情況是25~125V。這個(gè)情況下，反激選擇雙相交錯(cuò)反激。后來事實(shí)證明我當(dāng)時(shí)錯(cuò)誤估計(jì)了漏感的影響，導(dǎo)致了使用復(fù)雜的吸收電路。