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      2. 新聞中心

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        高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)方案

        作者: 時(shí)間:2011-08-04 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/178787.htm

          1.2 LDO

          LDO在低頻時(shí)的PSR主要取決于運(yùn)放的增益,為此選擇折疊共源共柵電路。此LDO電路基于文獻(xiàn)中的電路修改,如圖2所示,并采用PSR高的偏置生成電路。

          1. 3 啟動(dòng)電路

          Brokaw核心本身存在0狀態(tài),VQC5基極為高電平,VQC2、VQC1基極為低電平,因此引入如圖3的啟動(dòng)電路。

          圖3中右下角即為啟動(dòng)電路。對(duì)于常規(guī)Brokaw,當(dāng)VQC2基極電壓低于啟動(dòng)電壓時(shí),VQCS2將VQC5基極電壓拉低VQC2基極電壓拉高,使電路啟動(dòng),所以VQCS2僅需很小的基極電流就可以使電路啟動(dòng)。

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