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        有源箝位技術(shù)的PC電源設(shè)計

        作者: 時間:2011-08-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        1.5 輸出濾波電容的計算和
        輸出濾波電容要考慮工作頻率,紋波大小,電容的ESR及ESL,由于箝位工作在200kHz之下,又考慮到成本,所以必須選擇優(yōu)質(zhì)的低ESL及ESR鋁電解電容,減小每個電容的容量,增加并聯(lián)電容的數(shù)量,由于工作頻率的提升已經(jīng)比67.5kHz的方案少用一半容量的電容,因此上策是數(shù)量不變,減小單個容量,大約減一半左右。
        c.jpg
        這是最小的限定值,實際應(yīng)該參照ESR、ESL大約加出50~80%,應(yīng)對負(fù)載的變化,限制瞬態(tài)電壓不超過3%,則有:
        c.jpg
        為了減小噪聲,在電解電容的最終點(diǎn)要加入一支瓷片電容消除噪聲,容量為10μF左右。
        1.6 功率變壓器的
        功率變壓器的計算與硬開關(guān)狀態(tài)的計算方法完全一致,再測出Lm,Lr。接入電路后,先串入外部電感Lr,調(diào)好功率MOS的ZVS狀態(tài)后,取下外串電感Lr,加入氣隙達(dá)到與試驗相同的主功率MOS的ZVS狀態(tài),記錄此時變壓器的Lm及Lr,以上即為設(shè)計結(jié)果。變壓器的導(dǎo)線切記f=200kHz,而不能選擇d超過0.27mm的導(dǎo)線。大電流時宜選擇銅箔,銅箔應(yīng)縱向切開縫隙減少渦流損耗。在磁芯磁密選擇時考慮到200kHz頻率,B值不宜超過2200高斯。

        2 箝位電容MOS及相關(guān)元件的設(shè)計
        變壓器驅(qū)動法,IC驅(qū)動法可參考L6384的驅(qū)動設(shè)計。
        對于箝位電路,核心是令變壓器磁芯完全復(fù)位,使其工作在第I和第Ⅲ象限,這里主要按伏秒積考慮。
        e.jpg
        箝位電容較大時,主功率MOS耐壓可以降低,箝位電容較小時,變壓器復(fù)位時間較長,按工作頻率及主功率MOS的波形,做最后調(diào)試決定。

        3 功耗計算及效率預(yù)估
        3.1 主功率及箝位MOSFET的功耗
        選定主功率MOS之后,查出其RSDON,工作在ZVS狀態(tài),主要功耗為導(dǎo)通損耗。
        f.jpg
        但是其Coss充放電造成的諧振損耗是拿不掉的,應(yīng)該計算。其計算式為:
        g.jpg
        式中,VCL為箝位電容上的電壓最高值。驅(qū)動損耗的發(fā)熱在驅(qū)動器部分不在MOS上。實際上因為達(dá)不到絕對的零開關(guān)損耗,實際損耗比上述計算值要大出10%左右。
        箝位MOS的功耗更難于計算,可按主功率MOS功耗的30%來估算。


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