智能同步整流控制IC-IR1166／7A-B
作者：
時(shí)間：2011-08-22
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
收藏
加入技術(shù)交流群
掃碼加入
和技術(shù)大咖面對(duì)面交流
海量資料庫(kù)查詢(xún)
3．5 CCM關(guān)斷階段
在CCM模式時(shí)，關(guān)斷過(guò)程要陡峭得多，di／dt免不了會(huì)更高。導(dǎo)通階段對(duì)DCM及CRM是理想的，但此時(shí)不能重復(fù)。在同步整流MOSFET導(dǎo)通階段，電流將線(xiàn)性地衰減，因此同步整流MOSFET的VDS將升上來(lái)。一旦初級(jí)開(kāi)關(guān)開(kāi)始返回導(dǎo)通狀態(tài)。同步整流MOSFET的電流會(huì)迅速減小，其壓降跨過(guò)VTH閾值而關(guān)斷，具體見(jiàn)圖5。本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/178709.htm
關(guān)斷速度較臨界，為防止初級(jí)的交叉導(dǎo)通，并減少開(kāi)關(guān)損耗，此時(shí)要一段消隱時(shí)間加入，但此階段要給出非?？斓膭?dòng)作速度，隨著VDS達(dá)到VTH3迅速?gòu)?fù)位。
圖6給出二次側(cè)的DCM、CRM和CCM的工作波形。圖7給出最大允許的VCC電壓和不同負(fù)載的最高開(kāi)關(guān)頻率關(guān)系。
評(píng)論