圖3：應用IGBT 的旁路開關

②整流器AC/DC
　　
UPS 整流電路分為普通橋堆整流、SCR 相控整流和PFC 高頻功率因數校正的整流器。傳統(tǒng)的整流器由于基頻為50HZ，濾波器的體積重量較重，隨著UPS 技術的發(fā)展和各國對電源輸入功率因數要求，采用PFC 功率因數校正的UPS 日益普及，PFC 電路工作的基頻至少20KHZ，使用的濾波器電感和濾波電容的體積重量大大減少，不必加諧波濾波器就可使輸入功率因數達到0.99，PFC 電路中常用IGBT 作為功率器件，應用IGBT 的PFC 整流器是有效率高、功率容量大、綠色環(huán)保的優(yōu)點。

③充電器
　　
UPS 的充電器常用的有反激式、BOOST 升壓式和半橋式。大電流充電器中可采用單管IGBT，用于功率控制，可以取得很高的效率和較大的充電電流。

④DC/AC 逆變器
　　
3KVA 以上功率的在線式UPS 幾乎全部采用IGBT 作為逆變部分的功率器件，常用全橋式電路和半橋電路，如下圖4。

3. IGBT 損壞的原因
　　
UPS 在使用過程中，經常受到容性或感性負載的沖擊、過負荷甚至負載短路等，以及UPS 的誤操作，可能導致IGBT 損壞。IGBT 在使用時的損壞原因主要有以下幾種情況：

過電流損壞；
　　
IGBT 有一定抗過電流能力，但必須注意防止過電流損壞。IGBT 復合器件內有一個寄生晶閘管，所以有擎住效應。圖5 為一個IGBT 的等效電路，在規(guī)定的漏極電流范圍內，NPN 的正偏壓不足以使NPN 晶體管導通，當漏極電流大到一定程度時，這個正偏壓足以使NPN 晶體管開通，進而使NPN 和PNP 晶體管處于飽和狀態(tài)，于是寄生晶閘管開通，門極失去了控制作用，便發(fā)生了擎住效應。IGBT 發(fā)生擎住效應后，漏極電流過大造成了過高的功耗，最后導致器件的損壞。

過電壓損壞；

IGBT 在關斷時，由于逆變電路中存在電感成分，關斷瞬間產生尖峰電壓，如果尖峰電壓過壓則可能造成IGBT 擊穿損壞。

橋臂共導損壞；

過熱損壞和靜電損壞。

4. IGBT 損壞的解決對策

過電流損壞
　　
為了避免IGBT 發(fā)生擎住效應而損壞，電路設計中應保證IGBT 的最大工作電流應不超過IGBT 的IDM 值，同時注意可適當加大驅動電阻RG 的辦法延長關斷時間，減小IGBT 的di/dt。驅動電壓的大小也會影響IGBT 的擎住效應，驅動電壓低，承受過電流時間長，IGBT 必須加負偏壓，IGBT 生產廠家一般推薦加-5V 左右的反偏電壓。在有負偏壓情況下，驅動正電壓在10—15V 之間，漏極電流可在5～10μs 內超過額定電流的4～10 倍，所以驅動IGBT 必須設計負偏壓。由于UPS 負載沖擊特性各不相同，且供電的設備可能發(fā)生電源故障短路，所以在UPS 設計中采取限流措施進行IGBT的電流限制也是必須的，可考慮采用IGBT 廠家提供的驅動厚膜電路。如FUJI 公司的EXB841、EXB840，三菱公司的M57959AL，57962CL，它們對IGBT 的集電極電壓進行檢測，如果IGBT 發(fā)生過電流，內部電路進行關閉驅動。