大功率VDMOS(200V)的設(shè)計研究 作者： 時間：2011-12-28 來源：網(wǎng)絡(luò) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 3 結(jié)語200V VDMOS器件的設(shè)計主要受到擊穿電壓和導(dǎo)通電阻兩個參數(shù)的相互影響和相互制約，在設(shè)計中應(yīng)優(yōu)化兩個參數(shù)的范圈。在滿足其中一個的條件下使另一個達(dá)到最優(yōu)的選擇，采用仿真設(shè)計可大大減少設(shè)計成本。 上一頁 1 2 3 下一頁
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