缺陷對石墨烯電子結(jié)構(gòu)的影響
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在計(jì)算中，以石墨烯原胞擴(kuò)展后含50個(gè)碳原子的超晶胞為基礎(chǔ)分別建立了Stone-Wales缺陷模型和單、雙空位缺陷模型，進(jìn)行幾何優(yōu)化后分別如圖3所示。建立缺陷模型大小的依據(jù)是盡量減小由于缺陷引入而引起的超胞周圍的形變。本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/177883.htm
在計(jì)算所有模型的電學(xué)性質(zhì)時(shí)采取的積分路徑如圖1所示，首先由Γ出發(fā)到達(dá)X點(diǎn)，再由X點(diǎn)出發(fā)到達(dá)K點(diǎn)，最后再由K點(diǎn)回到出發(fā)點(diǎn)Γ點(diǎn)，從而完成在布里淵內(nèi)的積分計(jì)算。
2 計(jì)算結(jié)果和討論
2．1 石墨烯及其缺陷體系能帶結(jié)構(gòu)
為便于分析缺陷對石墨烯電子結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電性的影響，文中首先計(jì)算了如圖3(a)所示的含50個(gè)碳原子的本征石墨烯超胞模型的能帶結(jié)構(gòu)，如圖4(a)所示，其中黑色虛線表示體系的費(fèi)米能級。在能帶結(jié)構(gòu)中，只關(guān)心費(fèi)米能級處附近的能帶，因此只在計(jì)算結(jié)果中選取費(fèi)米能級附近20條能帶進(jìn)行分析
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