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        低電壓大電流VRM拓撲結(jié)構(gòu)和均流技術(shù)研究

        作者: 時間:2012-08-29 來源:網(wǎng)絡 收藏

        (4)

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/176354.htm

        均流的效果取決于 的差值。當 相等時,均流就有非常好的效果。而且MOSFET導通電阻的不同和電感值的不同對均流的效果沒有影響。

        2.3 仿真結(jié)果及分析

        圖7顯示了兩支路參數(shù)不同時,在不同負載情況下的均流效果。

        (a) 輕載時均流結(jié)果

        圖7 (b) 重載時均流結(jié)果

        在這兩個并行的支路中,一個支路中使用MOSFET的型號為2N6756,導通電阻為 ,輸出濾波電感為1.2uH,另一個使用MOSFET的型號為2N6763,導通電阻為 ,輸出濾波電感為1uH,兩個的MOSFET的導通電阻不一樣,濾波電感值也不一樣,當負載從輕載到重載變化時,均流效果是很好的,但是由于電感值不一樣,電感的等效電阻值有差異, MOSFET選擇的導通電阻較大,對電路的性能影響較大,所以在負載較大時兩個的均流差一些。

        2.4 控制技術(shù)的概括和拓展

        2.4.1 控制技術(shù)的概括

        前面討論了當每一個模塊的線圈電阻相同時新型均流技術(shù)的應用。為了總結(jié)這項技術(shù)的應用,必須線圈電阻和分布電阻不同時的情況。

        圖8顯示了當 不同時這項技術(shù)的應用,我們假設(shè) 的比率為確定的。

        (5)

        在圖8中的控制不同于圖6中的控制。有兩個額外的比例放大器加在均流控制環(huán)1中。這兩個放大器被用來在不同模塊中電流分布比率。在圖8中,

        (6)

        (7)

        在兩個均流控制環(huán)中的兩個積分器使得 等于 。從式(2)、(3)和(7)可以得到下列關(guān)系:

        (8)

        所以,如果 滿足下列關(guān)系, 就相等:

        (9)

        通過控制 的比率,可以確定電流分布比率。實際上,在均流控制環(huán)的設(shè)計中,不一定只使用一個積分補償器,其它的補償器,像兩極和一個零極的補償器可以均流控制環(huán)的帶寬以改善電流的響應速度。

        圖8 均流控制的拓展應用

        2.4.2 電流控制技術(shù)的拓展應用

        提出的電流分享技術(shù)可以用于其它的和隔離轉(zhuǎn)換變換器,并且不是只能使用輸出參數(shù),事實上,在很多并行的轉(zhuǎn)換器中當不同的模塊有共同的參數(shù)點就可以使用這項技術(shù)。唯一需要改變的就是均流控制環(huán)中的比例放大器的參考值。

        基爾霍夫電流相關(guān)文章:基爾霍夫電流定律




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