對于20--30MHZ，

1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2 電容量或改變Y2 電容位置;

2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值;

3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

4.改變PCB LAYOUT;

5.輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感;

6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC 濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);

7.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。

9. 可以用增大MOS 驅(qū)動電阻.

30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關(guān)斷引起，

1.可以用增大MOS 驅(qū)動電阻;

2.RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管;

3.VCC 供電電壓用1N4007 慢管來解決;

4.或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感;

5.在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個小吸收電路;

6.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容;

8.PCB 心LAYOUT 時大電解電容，變壓器，MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小;

9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，

1.可以在整流管上串磁珠;

2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);

3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮?

4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點)。

5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

200MHZ 以上 開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過EMI 標(biāo)準(zhǔn)。