基本性能標(biāo)準(zhǔn)電路

圖1顯示了這些INA的標(biāo)準(zhǔn)電路配置。當(dāng)輸入和輸出處于其規(guī)定范圍內(nèi)時(shí)，輸出電壓約為：圖一為了正常工作，請(qǐng)保持：

1. VIP、VIM、VREF和VFG介于VIVL和VIVH之間

2. VIP– VIM(即，VDM)介于VDML和VDMH之間

3. VOUT介于VOL和VOH之間輸入失調(diào)電壓(VOS)通過電壓VTR進(jìn)行修正。

每次發(fā)生VOS校準(zhǔn)事件時(shí)，VTR都會(huì)更新為最佳值(當(dāng)時(shí))。這些事件通過上電(通過POR進(jìn)行監(jiān)視)或通過將EN/CAL引腳翻轉(zhuǎn)為高電平進(jìn)行觸發(fā)。GM3(I3)的電流輸出是恒定的，并且極小(在以下討論中將假定為0)。輸入信號(hào)施加到GM1.

圖1顯示了這些INA的標(biāo)準(zhǔn)電路配置。當(dāng)輸入和輸出處于其規(guī)定范圍內(nèi)時(shí)，輸出電壓約為：

圖1

架構(gòu)

圖2給出了這些INA的框圖。

圖2

輸入失調(diào)電壓(VOS)通過電壓VTR進(jìn)行修正。每次發(fā)生VOS校準(zhǔn)事件時(shí)，VTR都會(huì)更新為最佳值(當(dāng)時(shí))。這些事件通過上電(通過POR進(jìn)行監(jiān)視)或通過將EN/CAL引腳翻轉(zhuǎn)為高電平進(jìn)行觸發(fā)。GM3(I3)的電流輸出是恒定的，并且極小(在以下討論中將假定為0)。輸入信號(hào)施加到GM1.公式4-2顯示了輸入電壓(VIP和VIM)以及共模和差分電壓(VCM和VDM)之間的關(guān)系。

應(yīng)用技巧最小穩(wěn)定增益

對(duì)于不同的最小穩(wěn)定增益(1、2、5、10和100 V/V;請(qǐng)參見表1-1)，提供了不同的選項(xiàng)。為了保持穩(wěn)定，差分增益(GDM)需要大于等于GMIN.挑選器件時(shí)，GMIN較高的器件具有輸入噪聲電壓密度(eni)較低、輸入失調(diào)電壓(VOS)較低和增益帶寬積(Gain Bandwidth Product，GBWP)較高的優(yōu)點(diǎn);請(qǐng)參見表1.GMIN較高時(shí)，差分輸入電壓范圍(VDMR)較低;但在GDM≥2時(shí)，輸出電壓范圍總是會(huì)限制VDMR.

容性負(fù)載

驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載會(huì)使放大器產(chǎn)生穩(wěn)定性問題。當(dāng)負(fù)載電容增大時(shí)，反饋環(huán)路的相位裕度會(huì)減小，閉環(huán)帶寬也會(huì)變窄。這會(huì)使頻率響應(yīng)產(chǎn)生增益尖峰，并使階躍響應(yīng)中產(chǎn)生過沖和振鈴。增益(GDM)較低時(shí)，對(duì)容性負(fù)載會(huì)更為敏感。使用這些儀表放大器驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載(例如，》100 pF)時(shí)，在輸出端上串聯(lián)一個(gè)小電阻(圖4-8中的RISO)，可使輸出負(fù)載在較高頻率時(shí)呈阻性，從而改善反饋環(huán)路的相位裕度(穩(wěn)定性)。然而，其帶寬通常會(huì)低于無容性負(fù)載時(shí)的帶寬。