采用微型封裝提高數(shù)據(jù)采集能力

針對打印機和電機控制應用的半兆位3V串行FRAM — FM25L512

世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (FRAM) 和集成半導體產品供應商Ramtron International 公司宣布推出512 Kb的3V非易失性 FRAM器件 -- FM25L512，帶有高速串行外設接口 (SPI)。該款器件采用8管腳微型封裝，能夠提高數(shù)據(jù)采集和存儲能力，并且削減應用成本和PCB空間，應用領域從多功能打印機到工業(yè)用電機控制器等。 

        Ramtron 副總裁Mike Alwais稱：“FM25L512為我們的256Kb 串行FRAM用戶在相同的小占位面積中提供雙倍的存儲容量。這樣，系統(tǒng)設計人員在下一代的打印機和電機控制設計中，無需增大線路板面積便可提高數(shù)據(jù)采集能力?！?

產品特性

        Ramtron 的FM25L512是帶有工業(yè)兼容SPI接口的512Kb非易失性FRAM，充分發(fā)揮了FRAM技術的高速寫入能力。該硬件上可以直接替代相應的EEPROM，而且性能更佳，并能以高達20MHz的總線速度執(zhí)行無延時的讀寫操作，同時提供10年的數(shù)據(jù)保存能力，以及幾乎無限的讀寫次數(shù)和極低的工作電流。FM25L512 器件的工作電壓為3.0 到 3.6V，可在 -40 ℃ 至 +85℃ 的工業(yè)溫度范圍內操作。

產品優(yōu)勢

        對于那些需要頻繁且快速寫入操作及/或低功耗工作的應用而言，F(xiàn)M25L512的性能凌駕同類的非易失性存儲器解決方案。這些應用包括從先進的數(shù)據(jù)采集 (該應用中讀寫壽命非常重要) 到要求嚴苛的工業(yè)控制 (該應用中較長得寫入等待時間和較短得讀寫壽命會導致數(shù)據(jù)丟失) 等各種應用。與串行EEPROM 不同，F(xiàn)M25L512能以總線速度執(zhí)行無等待寫入操作，而且功耗更低。