5、多種襯底上異質(zhì)材料的生長(zhǎng)同時(shí)并進(jìn)開發(fā)，GaAs技術(shù)目前最為成熟，充分發(fā)揮InP襯底的優(yōu)異性能，挖掘lnP襯底的潛力的研究正在廣泛進(jìn)行;

6、寬帶隙的材料研究受到高度重視，特別是以CaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料的研究，已成為各國(guó)業(yè)內(nèi)科學(xué)家研發(fā)的熱點(diǎn);SiC材料已研制成功許多性能優(yōu)異的器件，如MOSFET、MESFET、JFET等。

MOCVD技術(shù)在半導(dǎo)體材料和器件及薄膜制備方面取得了巨大的成功。盡管如此，MOCVD仍是一種發(fā)展中的半導(dǎo)體超精細(xì)加工技術(shù)，MOCVD技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展將會(huì)給微電子技術(shù)和光電子技術(shù)帶來(lái)更廣闊的前景。