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解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)

作者：時(shí)間：2012-05-28 來源：網(wǎng)絡(luò)

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圖2：16Gbit閃存的多晶硅電容結(jié)構(gòu)，圖中顯示了低位板接頭。IMFT的4G、16Gbit NAND閃存

圖3：IMFT的16Gbit MLC閃存的金屬層2和層3采用銅雙鑲嵌工藝，金屬層1采用鎢雙鑲嵌工藝

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關(guān)鍵詞：表象 技術(shù) 細(xì)節(jié) 閃存 NAND 16Gb MLC 解密

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