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        多電平變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制方法研究

        作者: 時(shí)間:2011-03-18 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/162290.htm

        這種與以上所述的二極管箝位式和電容箝位式比較有以下優(yōu)點(diǎn):

        1)實(shí)現(xiàn)了電容電壓的自動(dòng)箝位,不需要復(fù)雜的電容電壓平衡算法;

        2)將此的輸出端和輸入端交換,可以用相同電路實(shí)現(xiàn)功率的雙向流動(dòng),所以,這種結(jié)構(gòu)應(yīng)用范圍廣泛,可以實(shí)現(xiàn) DC/DC, DC/AC, AC/DC的功率轉(zhuǎn)換。

        該結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn):

        1)當(dāng)增加時(shí),所需要的電容和功率開關(guān)數(shù)目都會(huì)增加許多,使得系統(tǒng)的成本和體積增大;

        2)由于使用了大量的功率開關(guān)和箝位電容,使得電路在工作時(shí)的開關(guān)損耗增大;

        3)隨著電路級(jí)數(shù)的增加,由于功率開關(guān)的通態(tài)壓降引起的每級(jí)電壓降落將越來越明顯。

        2.2 具有獨(dú)立直流電源的級(jí)聯(lián)式多逆變器

        以上使用無源元器件箝位的多逆變器

        方法相對(duì)簡(jiǎn)單,可分別對(duì)每一級(jí)進(jìn)行PWM;

        3)H橋單元結(jié)構(gòu),為模塊化設(shè)計(jì)、制造帶來方便,另外,當(dāng)H橋出現(xiàn)故障,可將其旁路,余下的單元可以繼續(xù)工作。

        這種結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)在于:每個(gè)單元需要一個(gè)獨(dú)立的直流電源。隨著電平數(shù)的增加,串級(jí)電路單元使用的直流電源數(shù)也將大量增加。

        2.2.2 混合單元串聯(lián)逆變電路

        通常,開關(guān)速度快的器件(例如MOSFET、IGBT)的電壓容量比較低,而高電壓容量的器件(例如GTO、IGCT、IEGT)的開關(guān)頻率又較低。為了用更少的單元得到更多的電平,基于“混合功率單元[6]”的串級(jí)逆變電路得到了發(fā)展。這種結(jié)構(gòu)是傳統(tǒng)功率單元串聯(lián)逆變電路的推廣。

        文獻(xiàn)[7]提出了對(duì)2個(gè)獨(dú)立單元的直流箝位電源采用電壓比為1:2,一個(gè)單元使用IGBT,另一個(gè)單元使用IGCT的混合串級(jí)逆變電路,IGCT單元上的電壓2倍于IGBT單元,如圖6所示。在控制上,以基波開關(guān)IGCT,以PWM方式調(diào)制IGBT。比起功率單元串級(jí)電路,這種混合單元的串級(jí)電路有一個(gè)優(yōu)點(diǎn):由于2個(gè)單元預(yù)先給定的電壓不同,IGBT單元和IGCT單元可以通過控制各自功率器件的開斷來相互協(xié)調(diào),從而實(shí)現(xiàn)單相7電平的輸出。這種結(jié)構(gòu)達(dá)到了用更少的單元得到更多電平的目的。

        圖 6 IGBT和 IGCT組 成 的 混 合 單 元

        Fig.6 Hybrid cell with IGBT and IGCT

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