我們制作了晶體管的測(cè)試電路板，分別對(duì)NPN 型晶體管2N5551、PNP 型晶體管2N5401 驅(qū)動(dòng)電路中相同負(fù)載的不同接法做了實(shí)物測(cè)試。圖4（a）是晶體管測(cè)試電路板的原理圖，將圖4（a）左邊J1 的1、2 引腳短接，可以測(cè)試NPN 型晶體管負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路；將J1的2、3引腳短接，可以測(cè)試PNP型晶體管負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路。

圖4（a）是晶體管測(cè)試電路板的原理圖

圖4（b）是晶體管測(cè)試電路的實(shí)物連接圖

　　圖4（b）是晶體管測(cè)試電路的實(shí)物連接圖，左側(cè)的電流表顯示電路的基極電流Ib，中間的電流表顯示集電極電流Ic 或發(fā)射極電流Ie，右側(cè)電壓表顯示晶體管集電極和發(fā)射極之間電壓Uce。實(shí)驗(yàn)測(cè)得的數(shù)據(jù)如表3 所示。

表3 （測(cè)試條件Vcc=5.04V）

　　從表3 可以看出，在負(fù)載相同情況下，無(wú)論選用NPN 型晶體管或PNP 型晶體管，負(fù)載接在晶體管集電極端時(shí)負(fù)載上得到的電壓較大、得到的功率也較多，晶體管壓降小。

　　5、結(jié)論

　　通過(guò)Multsim 軟件仿真和硬件實(shí)物測(cè)試，我們得出如下結(jié)論：在使用晶體管作開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)負(fù)載時(shí)，為了使負(fù)載上得到較大的功率，應(yīng)該將負(fù)載接在三極管的集電極使用，通過(guò)基極的電流要0.1 倍的負(fù)載電流或更大。