輸出的中斷請求是低電平有效，5409可以使用中斷方式或者查詢方式獲知中斷請求。當(dāng)為高電平，且和及AO都為低電平時(shí)，CH375中的數(shù)據(jù)通過D7～DO輸出；當(dāng)為高電平，并且，及AO都為低電平時(shí)，D7～DO上的數(shù)據(jù)都被寫入CH375芯片中；當(dāng)為高電平，并且和都為低電平而A0為高電平時(shí)，D7～DO上的數(shù)據(jù)都被作為命令碼寫入CH375芯片中。
1．3 存儲模塊
5409片上帶有ROM，但是運(yùn)行程序和數(shù)據(jù)在掉電后不能保留。因此，擴(kuò)展FLASH E2PROM存儲模塊。系統(tǒng)選用SST公司的128K×8 b的E2PROM芯片ST29LE010A，工作電壓3．O～3．6 V，整塊E2PROM能在5 s內(nèi)擦寫完成，可擦寫100 000次左右，數(shù)據(jù)保持時(shí)間很長。系統(tǒng)采用3．3 V工作電壓，E2PROM并行自舉引導(dǎo)方式。硬件電路原理如圖3所示。

5409的D8用于控制閃存的寫使能，當(dāng)D8為低電平時(shí)，可對閃存編程和擦除，通過編程控制D8，使的時(shí)序滿足要求。為防止誤寫，平時(shí)被設(shè)置為高電平，而與5409的相連，低電平有效，平時(shí)被設(shè)置為高電平，以保護(hù)芯片。圖3中采用雙刀雙置開關(guān)，當(dāng)開關(guān)置下方時(shí)，F(xiàn)LASH的與DSP的相連，置高，可讀FLASH；當(dāng)開關(guān)置上方時(shí)，置高，與5409的D8相連，為寫操作。