基于3G手機的RF屏蔽設計
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第二個關注的地方是微帶線附近的場線，在靠近地平面的地方它們最強。只要屏蔽和地平面間的距離明顯大于微帶線和地平面間的距離，則增加的屏蔽的效用就微乎其微。線綁定和表貼電感與地平面的直接耦合要弱些，當施加屏蔽時，預期其場線會有變化。圖3顯示的是3D模擬的E場分布。
圖3顯示的是不帶屏蔽的輸出匹配的電磁模擬，其電場以伏/米表征。深紅色意味著強場線，而深藍色表示電場實質不存在。如所預料，表貼電感和綁定線附近的場線不那么穩(wěn)固，所以，若在包注模上增加屏蔽則更可能對其產生影響。下一步是勾畫并檢測雙口S參數模擬在帶和不帶屏蔽條件下相對于高階諧波的任何變化。
輸出匹配的3D EM模擬(圖4)揭示出在更高頻率下共振的改變。在TxM內，電路遠比簡單的輸出匹配復雜。另外，如在模擬中看到的，為規(guī)避高階諧波所實現的高Q槽路所受到的影響將明顯大于給單一共振帶來的簡單變化。
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