(一面觀察主接收機(jī)的S電表，一面調(diào)整鐵芯，使S電表指示擺振為最大。)

所制作的晶體變換器的特性 ▲VG2S與電功率放大率的測試 圖29所示的是VG2S從0～4V變化時(shí)的電功率放大率變化與高頻率放大電路的FET漏極電流變化的情況。此處的電功率放大率是包含至頻率變換電路為止的數(shù)據(jù)。 VG2S＝0V時(shí)的電功率放大率為32dB，VG2S＝4V時(shí)為43dB，放大率的調(diào)整量為11dB。漏極電流的最大值為18mA，漏極損失PD=18×6＝108mW，沒有超過最大損失值。

圖29 FET的VG2S改變時(shí)的Gp，ID特性(隨著VG2S的電壓變化，電功率放大率變化為30～44dB。主接收機(jī)的感度低，也可以使用。)

▲接收頻帶范圍的測試 圖30所示的為頻率從116M～130MHz為止變化時(shí)的電功率放大率。在中心頻率的122MHz與邊源的130MHz，感度差為11dB。可是，在實(shí)際接收Air Band時(shí)，也不太感覺出其邊端的差異。

圖30晶體變換器的接收頻率與電功率放大率(由于頻帶寬為14MHz，因此，在頻帶內(nèi)的電功率放大率差為11dB。使用上沒有什么問題。)