如圖1所示為可見，SiGe技術(shù)在射頻器件上的應(yīng)用已經(jīng)跟RF CMOS技術(shù)相當(dāng)，有理由相信，下一步目標(biāo)就是超越GaAs技術(shù)而占據(jù)主流。

本文總結(jié)

隨著多種無線通信標(biāo)準(zhǔn)在手持設(shè)備上的應(yīng)用，只有進(jìn)一步降低射頻功率放大器的功耗，才能延長(zhǎng)便攜式設(shè)備的電池使用時(shí)間，從而獲得更加的用戶體驗(yàn)。本文通過對(duì)射頻功率放大器所采用的三種主要工藝技術(shù)進(jìn)行的簡(jiǎn)要比較，指出未來的發(fā)展趨勢(shì)在于采用SiGe工藝技術(shù)來制造射頻功率放大器，這是無線電電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師需要關(guān)注的技術(shù)趨勢(shì)。