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        基于SOPC的數(shù)據(jù)發(fā)生系統(tǒng)設(shè)計(jì)

        作者: 時(shí)間:2009-05-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        全狀態(tài)移位計(jì)數(shù)器的狀態(tài)變化規(guī)律有兩個(gè)特點(diǎn):狀態(tài)的最高位由反饋函數(shù)確定;余下的各位由原態(tài)移位得到。該采用的反饋函數(shù)為:

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/152472.htm


        式中:Qi(i=1,…,8)為電路的現(xiàn)態(tài)。
        2.2 乒乓結(jié)構(gòu)模塊
        2.2.1 乒乓結(jié)構(gòu)的硬件實(shí)現(xiàn)
        為了提高的傳輸速率,兩片SRAM構(gòu)成了乒乓緩存結(jié)構(gòu),即在一片執(zhí)行寫操作的同時(shí),另一片在執(zhí)行讀操作。乒乓結(jié)構(gòu)模塊的原理如圖2所示,P1口與產(chǎn)生模塊相連接,僅具有寫入功能,P2口為Avalon從端口,與Avalon總線相連僅具有讀出功能。

        對(duì)于產(chǎn)生模塊而言,由于僅具有并行的輸出,沒有地址和控制信號(hào)端口,故它無法直接對(duì)SRAM進(jìn)行寫操作,因而要求乒乓結(jié)構(gòu)模塊有地址產(chǎn)生功能。P1口的CLK作為計(jì)數(shù)器的脈沖源,計(jì)數(shù)器的輸出作為SRAM的地址。DBl連接數(shù)據(jù)產(chǎn)生模塊的輸出端。CBl為控制信號(hào),因?yàn)镻1口只有寫入功能,所以其we_n恒接低,oe_n恒接高。
        P2口為只有讀出功能的Avalon從端口,所以AB2為從端口的地址線address;DB2為數(shù)據(jù)線readdata;CB2中的we_n為讀信號(hào)線read,oe_n恒接低。由于兩片SRAM始終處于工作狀態(tài),所以相應(yīng)的片選信號(hào)chip_select_n恒接低。
        兩片SRAM在P1口和P2口之間的切換的控制信號(hào)即chipselect,由計(jì)數(shù)器產(chǎn)生。當(dāng)計(jì)數(shù)值小于262 144時(shí),chipselect接低,SR1與P1口相接,SR2與P2口相接;當(dāng)計(jì)數(shù)值在262 144~524 288之間時(shí),chipselecl接高,SR1與P2口相接,SR2與P1口相接。當(dāng)計(jì)數(shù)值到達(dá)524 288時(shí),計(jì)數(shù)器清零。
        2.2.2 Avalon從外設(shè)的端口信號(hào)
        中,數(shù)據(jù)產(chǎn)生模塊與乒乓結(jié)構(gòu)模塊結(jié)合為一個(gè)模塊,通過P2口掛在Avalon總線上。該模塊的信號(hào)列表如圖3所示。其中,avalon_slave_O接口類型的信號(hào)與Avalon總線相連接,而conduit_end接口類型的信號(hào)與SRAM相連接。圖3中的Avalon從端口即為P2口,采用了流水線讀傳輸?shù)哪J剑@種模式能在前一次傳輸返回readdata前開始一次新的傳輸,增加了帶寬。

        2.2.3 動(dòng)態(tài)地址對(duì)齊及其時(shí)許
        Avalon總線模塊能夠適應(yīng)主從外設(shè)的不同寬度和不匹配的數(shù)據(jù)寬度。當(dāng)系統(tǒng)中村子不匹配的存儲(chǔ)口時(shí),要考慮地址對(duì)齊問題。對(duì)于存儲(chǔ)器類型的外設(shè),采用動(dòng)態(tài)地址對(duì)齊方式。IDT71V416型SRAM是靜態(tài)RAM,屬于存儲(chǔ)器型外設(shè),所以該Aalon從端口采用動(dòng)態(tài)地址對(duì)齊方式,如圖4所示。選用動(dòng)態(tài)地址對(duì)齊方式,使得主端口能連續(xù)地對(duì)從外設(shè)進(jìn)行讀寫,并使系統(tǒng)將外設(shè)認(rèn)作存儲(chǔ)器型外設(shè)。

        根據(jù)IDT71V416型SRAM手冊(cè)中讀寫時(shí)序的各時(shí)間參數(shù)值設(shè)定set up,read wait,write wait及holdtime的時(shí)間均為10 ns,使該端口既符合Avalon總線讀寫時(shí)序的要求,又符合IDT71V416型SRAM的讀寫時(shí)序的要求,如圖5所示。

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