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        基于閃爍存儲器的DSP并行引導(dǎo)裝載方法

        作者: 時間:2010-11-05 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          2 硬件電路組成

           存儲區(qū)硬件接口電路如圖1所示。主要由5部分組成:處理器-TMS320VC5409、系統(tǒng)邏輯控制電路(采用CPLD-EPM7128實(shí)現(xiàn))、閃存FLASH-Am29LV400B(256K字的FLASH用來存儲應(yīng)用程序和初始化數(shù)據(jù))、程序SRAM1-IDT71V416S12PH(容量為256K字)、數(shù)據(jù)SRAM2-IDT71V016S12PH(容量為64K字)。邏輯控制電路主要由3個模塊組成:FLASH頁選控制模塊、讀/寫控制模塊、程序空間/數(shù)據(jù)空間/FLASH切換控制模塊。圖中,CPLD的輸出FMSEL為FLASH的片選腳;PMSEL為程序空間的片選腳; DMSEL為數(shù)據(jù)空間的片選腳。

          FLASH分為8頁,每頁32K,通過CPLD中的FLASH頁選控制模塊(Page0~Paeg2)實(shí)現(xiàn)FLASH翻頁功能。為實(shí)現(xiàn)FLASH,F(xiàn)LASH物理空間的前32K映射到TMS320VC5409的數(shù)據(jù)空間0x8000h~0xFFFFh上,即TMS320VC5409的數(shù)據(jù)空間 0x8000h~0xFFFFh為FLASH的前32K空間。為了重點(diǎn)說明FLASH的過程,本文只談及片內(nèi)程序存儲空間以及FLASH前 32K字的使用情況。

          3 TMS320VC5409 DSP的方式

          TMS320VC5409芯片具有兩種引導(dǎo)方式:片內(nèi)引導(dǎo)方式和片外執(zhí)行方式。片內(nèi)引導(dǎo)方式就是利用片內(nèi)ROM中的引導(dǎo)程序?qū)⒊绦驈耐獠考虞d到程序中運(yùn)行。由于FLASH的速度較低,難以與DSP相匹配,因此,本文采用片內(nèi)引導(dǎo)方式。

          TMS320VC5409 片內(nèi)掩模ROM中固化的引導(dǎo)裝載(Bootloader)程序用于在上電復(fù)位時把用戶程序從外部引導(dǎo)到高速RAM中,以保證其全速運(yùn)行。 TMS320VC4509提供的片內(nèi)引導(dǎo)有:有機(jī)口HPI、8位或16位EPROM、8位或16位I/O方法和8位或16位串行口方法等。TMS320VC5409片內(nèi)引導(dǎo)裝載源程序可以在TI網(wǎng)絡(luò)下載得到,讀者可以自行分析。下面通過圖2所示的引導(dǎo)過程框圖,闡述一下本文選用的引導(dǎo)方式過程。



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