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        NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)

        作者: 時(shí)間:2010-11-15 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        ②寫過(guò)程中發(fā)生錯(cuò)誤,則該塊成為壞塊。處理方法為:為其分配一個(gè)新的有效塊,將壞塊原有數(shù)據(jù)拷貝到有效塊,并同時(shí)寫入新的數(shù)據(jù),最后更新映射表,標(biāo)識(shí)壞塊。寫操作的錯(cuò)誤處理算法如圖5所示。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/151348.htm

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        ③擦除過(guò)程發(fā)生錯(cuò)誤,則該塊成為壞塊。處理方法為:為其分配一個(gè)新的有效塊,并擦除此有效塊,更新映射表,標(biāo)識(shí)壞塊。
        2.3 BootIoader的壞塊
        在Bootloader層采用Linux內(nèi)核相同的壞塊策略,并復(fù)用相關(guān)代碼。Bootloader在內(nèi)存建立起的壞塊映射表可以通過(guò)內(nèi)存共享的方式,傳遞給Linux內(nèi)核,從而減少內(nèi)核重新掃描壞塊映射表的時(shí)間,加快系統(tǒng)啟動(dòng)速度。

        3 測(cè)試
        Cases測(cè)試方法:對(duì)一切可能情況實(shí)行模擬測(cè)試,最后進(jìn)行壓力測(cè)試。
        3.1 壞塊場(chǎng)景模擬測(cè)試
        ①出廠壞塊;
        ②運(yùn)行中產(chǎn)生壞塊:讀操作產(chǎn)生壞塊,寫操作產(chǎn)生壞塊,擦操作產(chǎn)生壞塊,比特反轉(zhuǎn)產(chǎn)生偽壞塊。
        3.2 壞塊表一致性場(chǎng)景模擬
        ①2張相同Vn+1;
        ②1張Vn+1和2張相同Vn;
        ③1張Vn+1和1張Vn;
        ④1張Vn;
        ⑤沒(méi)有任何壞塊表;
        ⑥2張不相同的Vn+1。
        3.3 壓力測(cè)試
        系統(tǒng)不間斷運(yùn)行10天后,工作狀態(tài)仍然正常。
        3.4 文件系統(tǒng)測(cè)試
        系統(tǒng)能夠支持對(duì)壞塊敏感的文件系統(tǒng)squashfs、cramfs,其測(cè)試案例均通過(guò)。這表明該壞塊方法能有效管理 。

        4 總結(jié)
        本文提出了一種基于嵌入式Linux整套系統(tǒng)的 壞塊管理實(shí)現(xiàn)方案,并詳細(xì)介紹其壞塊映射算法。此方案目前已經(jīng)應(yīng)用到數(shù)字電視開(kāi)發(fā)平臺(tái)。在系統(tǒng)平臺(tái)上的相關(guān)壞塊動(dòng)態(tài)產(chǎn)生、突然掉電等大量測(cè)試表明此方案穩(wěn)定可靠。


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