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        羅姆開發(fā)出超低IR肖特基勢(shì)壘二極管

        作者: 時(shí)間:2012-06-26 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

           <規(guī)格>  

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/133946.htm
         

          <術(shù)語(yǔ)解說>
          ?肖特基勢(shì)壘(Schottky-Barrier Diode:SBD)
          使金屬和半導(dǎo)體接觸從而形成肖特基結(jié),利用其可得到整流性(特性)的。具有“正向壓降少、開關(guān)速度快”的特點(diǎn)。主要用于開關(guān)電源等。

          ?快速恢復(fù)二極管(Fast Recovery Diode: )
          正向施加的電壓向反向切換時(shí),反向電流瞬間流過。這種電流到零之間的時(shí)間―即反向恢復(fù)時(shí)間快的一種二極管。

          ?VF ( Forward Voltage)
          是指正向電流經(jīng)過時(shí)二極管產(chǎn)生的電壓值。數(shù)值越小功耗越少。

          ?IR(Reverse Current)
          是指施加反向電壓時(shí)發(fā)生的反向電流。數(shù)值越小功耗越少。

          ?熱失控
          反向損耗超過散熱,損耗進(jìn)一步增加,產(chǎn)品溫度呈指數(shù)級(jí)上升的狀態(tài)。

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        關(guān)鍵詞: 羅姆 二極管 FRD

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