低功率LED照明趨勢(shì)
作者：BrianJohnson,JamesLee
時(shí)間：2012-06-18
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
收藏
加入技術(shù)交流群
掃碼加入
和技術(shù)大咖面對(duì)面交流
海量資料庫(kù)查詢(xún)
有了較大的燈尺寸，就有了相當(dāng)大的空間來(lái)容納LED驅(qū)動(dòng)器解決方案，并且PF和低THD仍然是強(qiáng)制要求。
設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
這些LED燈的較高瓦數(shù)會(huì)引起更高的Vds，peak(尖峰)通過(guò)MOSFET，因而需要BVDss額定值較高的MOSFET。對(duì)于高壓尖峰，由于輸入電流較高，BVDss額定值必須降低。圖14顯示了電壓尖峰為匯總的Vds，peak = Vin+nVo+Vos，其中nVo是反射的輸出電壓，也稱(chēng)為Vro。
通常使用緩沖器來(lái)限制Vos峰值電壓，但緩沖器會(huì)消耗能量，從而降低了LED驅(qū)動(dòng)器效率：
飛兆方案
飛兆半導(dǎo)體的解決方案如表2所示，單級(jí)反激與2級(jí)方法的對(duì)比如表3所示。
評(píng)論