另外，針對(duì)逆變器電路中內(nèi)置SiC元件、模塊時(shí)的噪音，通過(guò)與引以為豪的“業(yè)界最尖端”的羅姆自產(chǎn)SiC元件、模塊相結(jié)合進(jìn)行開發(fā)，以最佳的電路設(shè)計(jì)成功解決了這個(gè)問(wèn)題，從而成為業(yè)界唯一支持SiC的內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器?！　?/p>本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/132770.htm

　　羅姆將以SiC為首的功率元件事業(yè)作為發(fā)展戰(zhàn)略之一定位，于2012年3月世界首家開始了“全SiC”功率模塊的量產(chǎn)。今后，羅姆繼續(xù)推進(jìn)最大限度發(fā)揮SiC特性的柵極驅(qū)動(dòng)器的開發(fā)，同時(shí)，還將推進(jìn)SiC-IPM(智能功率模塊)等的開發(fā)，不斷完善SiC相關(guān)產(chǎn)品的陣容。

　　<特點(diǎn)>

　　1) 通過(guò)羅姆獨(dú)創(chuàng)的無(wú)鐵芯變壓器技術(shù)，內(nèi)置2,500Vrms絕緣元件

　　2) 小型封裝
　　與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，SSOP-B20W( 6.5mm×8.1mm　H=Max 2.01mm)將安裝面積減少了50%以上

　　3) 通過(guò)內(nèi)置所有的保護(hù)功能，實(shí)現(xiàn)安全設(shè)計(jì)
　　內(nèi)置了車載逆變器電路所要求的全部保護(hù)功能：米勒鉗位功能、故障輸出功能、低電壓時(shí)誤動(dòng)作防止功能、熱保護(hù)功能、短路保護(hù)功能、短路保護(hù)時(shí)軟關(guān)斷功能。

　　《主要規(guī)格》　　

 

　　4) 還支持SiC的高速開關(guān)
　　業(yè)界唯一支持SiC元件電路的產(chǎn)品。羅姆生產(chǎn)的SiC可以在最大800V、400A輸出狀態(tài)下確保穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)?！　?/p>

 

　　<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

　　?IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor的簡(jiǎn)稱)
　　絕緣柵雙極晶體管。在柵極構(gòu)建了MOSFET的雙極晶體管。
　　?MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field　Effect　Transistor的簡(jiǎn)稱)
　　金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是FET中最被普遍使用的結(jié)構(gòu)。作為開關(guān)元件使用。