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      2. 羅姆第三代SiC MOSFET功率元器件為溝槽式結(jié)構(gòu),具有高速開關(guān)、低導通電阻的特點,寄生二極管的反向恢復(fù)工作特性更佳、功率損耗大幅降低,開關(guān)損耗降低73%??蓮V泛應(yīng)用于太陽能功率調(diào)節(jié)器、電源、車載(EV/PHEV)用充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等,助力工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)節(jié)能和小型化。

        羅姆SiC MOSFET評估板"P02SCT3040KR-EVK-001",該評估板中配置有非常適用于驅(qū)動SiC元器件的羅姆柵極驅(qū)動器IC(BM6101FV-C)、各種電源IC及分立產(chǎn)品,可為您提供輕松進行元器件評估的解決方案!
        已 結(jié) 束
        P02SCT3040KR-EVK-001
        羅姆SCT3040KR(1200V 40mΩ TO-247-4L)評估用
        通過改變電路乘數(shù)器,可用來評估羅姆其他SiC-MOSFET
        除了TO-247-4L外,還有TO-247-3L的通孔,可在同一評估板上進行對比評估
        單一電源(+12V工作)
        可進行最大150A的雙脈沖測試,最大開關(guān)工作頻率500kHz
        支持各種電源拓撲(Buck, Boost, Half-Bridge)
        內(nèi)置柵極驅(qū)動用隔離電源,可通過可變電阻調(diào)整(+12V~+23V)
        可通過跳線引腳來切換柵極驅(qū)動用負偏壓和零偏壓
        可防止上下臂同時導通,內(nèi)置過電流保護功能(DESAT, OCP)


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        試用報告

        【羅姆SiC評估板試用】低壓電源開發(fā)測試【羅姆SiC評估板試用】低壓電源開發(fā)測試
        我在設(shè)計電源產(chǎn)品過程中需要經(jīng)常選擇適合的功率器件,各類三極管、MOS管、IGBT等器件。通過《電子產(chǎn)品世界》雜志社發(fā)現(xiàn)一種新材料碳化硅生產(chǎn)的高壓MOS管,剛好看到雜志社聯(lián)合ROHM搞的評估版測評活動…
        wujiaming9876 2021-05-06
        【羅姆SiC評估板試用】快充測試【羅姆SiC評估板試用】快充測試
        碳化硅器件和測試板到了,nice!先來波開箱圖~
        胡世 2021-05-08
        【羅姆SiC評估板試用】射頻熱凝控制儀測試【羅姆SiC評估板試用】射頻熱凝控制儀測試
        快遞包裹的很好,有兩層紙箱包裝防護,外面一層是一般的紙箱,里面是評估板廠家自己的包裝,包裝上有羅姆的圖案。不得不夸獎一下羅姆廠家的包裝,包裝盒內(nèi)有一層厚厚的保護棉,可以確保電路板不會受快遞運輸?shù)挠绊憽?br> 三石成磊 2021-05-16
        【羅姆SiC評估板試用】基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究【羅姆SiC評估板試用】基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究
        評估板的做工非常棒,驅(qū)動電路部分占據(jù)了一大部分,由于SiC MOSFET的驅(qū)動電壓與Si MOSFET的不同,每個廠家不同型號的SiC MOSFET驅(qū)動電壓也有差別,因此該評估板的驅(qū)動電壓是在一定范圍可調(diào)的…
        toothless94 2021-05-17
        【羅姆SiC評估板試用】P02SCT3040KR-EVK-001初體驗【羅姆SiC評估板試用】P02SCT3040KR-EVK-001初體驗
        通過查資料大致了解了一下此開發(fā)板的功能原理,P02SCT3040KR-EVK-001板子采用的是半橋電路的拓撲,最大支持電壓為800V,并設(shè)置有過流保護。使用該評估板,可進行雙脈沖測試、Boost電路、兩電平逆變器、同步整流型Buck電路等評估…
        jobs 2021-05-19

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